基于SiC MOSFET的两电平交流伺服驱动器主回路损耗研究

分析了交流伺服驱动器主回路在双极性SPWM调制下的损耗组成，并推导了两电平交流伺服驱动器主回路的损耗计算方法。基于推导的损耗算法，对比分析了SiCMOSFET、Si MOSFET和Si IGBT三种功率器件用于交流伺服驱动器主回路时的损耗情况，得出采用SiC MOSFET的交流伺服驱动器主回路损耗更小，在功率器件技术指标和工作温度等条件一致的情况下，采用SiC MOSFET搭建主回路的交流伺服驱动器体积可以做得更小。上述分析计算结果通过仿真和实验进行了进一步验证。