10 kV T型电缆接头半导电尖端缺陷的电场分布仿真研究

建立环网柜中常用的JB-10/630型10 kV T型电缆接头电场模型，研究硅橡胶绝缘层与交联聚乙烯绝缘层交界面处存在金属和半导电尖端缺陷时的电场分布特性。通过分析不同缺陷程度和不同电压等级下的电场分布规律，研究发现：当接头存在半导电尖端缺陷时，缺陷周围绝缘材料会出现显著电场畸变现象，其中缺陷尖端处的场强畸变最为严重；随着缺陷尺寸的增大或施加电压的升高，缺陷区域的电场强度呈现明显递增趋势。